ガラス基材上のSiO2薄膜に対し、常温及び加熱環境下でマイクロスクラッチ試験を実施した結果を左記に示します。常温では約190mN程ではく離が発生し出力信号にも急激な変化点が発生いたしましたが、加熱環境下では同じSiO2薄膜が約150mN程ではく離が発生いたしました。

※27℃測定傷においては、膜のはく離(40sec付近)後に傷が拡大し30sec付近まで傷が伸びた後の写真となります